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N-MOS

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产品介绍：

MOS管是金属氧化物半导体场效应晶体管，或者是金属绝缘体半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。

产品规格

TYPE	Vds Min	ID@TC	RDS(on)	RDS(on) 2	PD@TC	Vth	Ciss	Package
	(V)	25℃(A)	Max 10V	Max 4.5V	25℃ (W)	(V)	Typ(pF)
HYG055N02KA1D	20	90	N/A	5.5	88	0.4~1.0	2280	TO-252
HY1403D	30	42	11	17	30	1~3	1012	TO-252
HY1603D	30	62	5.5	8	36	1~3	2082	TO-252
HYG037N03LQ1D	30	85	4.5	8	57.7	1~3	3589	TO-252
HY3003D	30	100	3.4	4.5	68	1~3	2570	TO-252
HY3403D	30	100	3	3.6	60	1~3	4726	TO-252
HYG023N03LR1D	30	110	2.6	3.4	62.5	1~3	4710	TO-252
HY1904D	40	72	6	7	62.5	1~3	2164	TO-252
HYG046N04LQ1D	40	75	5.5	9.0	57.7	1~3	3666	TO-252
HY1804D	40	80	5	6	62.5	1~3	4280	TO-252
HYG025N04LQ1D	40	150	3.2	5.3	150	1~3	7080	TO-252
HY3404D	45	147	3.6	4.3	156	1~3	5129	TO-252
HYG420N06LR1D	60	22	42	50	37.5	1-2.5	843	TO-252
HY1506D	60	55	13.5	15	100	1~3	3522	TO-252
HY1606D	60	66	12.5	N/A	64	2~4	2040	TO-252
HY1906D	60	70	7	N/A	62.5	2~4	4600	TO-252
HY1607D	68	70	8.5	N/A	75	2~4	3200	TO-252
HY1707D	70	70	7.5	N/A	86	2~4	4600	TO-252
HY1908D	80	90	9	N/A	64	2~4	3864	TO-252
HY0910D	100	9	143	169	21	1~3	720	TO-252
HY1710D	100	44	18.5	N/A	75	2~4	4200	TO-252
HY3010D	100	60	12	N/A	65	1~3	3197	TO-252

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2019 - 09 - 05

20410242 M

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